英特尔与美光科技合作推出新制程技术,让智能手机、平板计算机中的闪存储器容量更大、体积更小,今年下半年可望推出小于美国邮票,却有128GBs储存容量的样品。英特尔 (Intel)与美光科技 (Micron)上周宣布推出为NAND快闪存储器开发的新20纳米 (nm)制程技术,这项技术用于生产8GB 多级单元 (MLC) NAND闪存储器元件,可为智能型手机与平板计算机提供高容量、体积小,但有如固态硬盘(SSD)储存的解决方案。
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